Микрогравитация и сверхвысокий вакуум - специфические компоненты технологической среды и новые возможности полупроводниковой технологии

Рубрика: 
Космические материалы и технологии
Баранский, ПИ, Бабич, ВМ, Свечников, СВ, Гайдар, ГП, Птушинский, ЮГ
Косм. наука технол. 2002, 8 ;(4):096-099
https://doi.org/10.15407/knit2002.04.096
Язык публикации: Украинский
Аннотация: 
Рассмотрена роль микрогравитации (остаточных микроускорений), а также сверхвысокого вакуума при выращивании полупроводниковых кристаллов с помощью безампульной безтигельной зонной плавки на борту космического корабля в условиях орбитального полета. Оба рассмотренные выше факторы имеют очень существенное значение для космической технологии полупроводниковых материалов.
Ключевые слова: микрогравитация, полупроводниковые кристаллы, сверхвысокий вакуум
 
Полный текст (PDF)
References: 
1. Авдуевский В. С. Основные задачи исследования гидроме­ханики и теплообмена в условиях невесомости // Изв. АН СССР. Сер. физ.—1985.—49, № 4.—С. 627—634.
2.  Баранский П. И., Бабич В. М., Гайдар А. В. и др. Десорбция из монокристаллов кремния при электронно-лу­чевой бестигельной зонной плавке // Тез. Между нар. конф. по физике электронных материалов (ФИЭМ'02), (Россия, Калуга, 1—4 октября 2002). — Калуга, 2002.—С. 62—63.
3.  Бержатый В. И., Зворыкин Л. Л., Пчеляков О. П. и др. Перспективы реализации вакуумных технологий в услови­ях орбитального полета // Автомат, сварка.—1999.—№ 10 (559).—С. 108—116.
4.  Верезуб Н. А., Зубрицкая И. Н., Егоров А. В. и др. Исследование особенностей получения некоторых полупро­водниковых систем на установке «Сплав» // Изв. АН СССР. Сер. физ.—1985.—49, № 4.—С. 687—690.
5.  Волков П. К. Качественные различия в гидродинамике жидкости в земных и космических условиях // Поверх­ность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные иссле­дования.—2001.—№ 9.—С. 101 — 105.
6.  Земсков В. С, Иванов Л. И., Савицкий Е. М. и др. Основные итоги экспериментов в условиях невесомости и некоторые проблемы космического материаловедения // Изв. АН СССР, сер. физ.—1985.—49, № 4.—С. 673—680.
7.  Земсков В. С, Раухман М. Р., Шалимов В. П. Влияние условий микрогравитации на однородность кристаллов по­лупроводников, выращенных на космических аппаратах методами направленной кристаллизации. Итоги и перспек­тивы исследований в ИМЕТ РАН // Поверхность, синхрот­ронные и нейтронные исследования.—2001.—№ 9.— С. 41—47.
8.  Космос: технологии, материаловедение, конструкции: Сб. науч. тр. / Под ред. Б. Е. Патона. — Киев: ИЭС им. Е. О. Патона НАН Украины, 2000.—527 с.
9.  Нанофизика и наноэлектроника: Тез. Второго российско-украинского семинара, Киев, 21—24 ноября 2000 г. — Киев: ИФП НАН Украины, 2000.—123 с.
10.  Нанофотоника: Материалы совещания (Нижний Новгород, 26—29 марта 2001 г.). — Институт микроструктур РАН, 2001.—314 с.
11.  Осовский В. Д., Птушинский Ю. Г., Чуйков Б. А. и др. Изотопные эффекты и проявление 2D фазовых переходов в кинетике низкотемпературной (до 5 К) адсорбции водорода // Физ. низк. температур.—2001.—27, № 9/10.—С. 1138— 1147.
12.  Патон Б. Е., Аснис Е. А., Заболотин С. П. и др. Особеннос­ти получения полупроводниковых материалов в условиях микрогравитации // Автомат, сварка. —1999.—№ 10 (559).—С. 97—99.
13.  Патон Б. Е., Лапчинский В. Ф. Сварка и родственные технологии в космосе. Особенности и перспективы. — Киев: Наук, думка, 1998.—184 с.
14.  Патон Б. Е., Лапчинский В. Е., Аснис Е. А. и др. Актуальнне задачи получения материалов электронной тех­ники  в условиях  микрогравитации  //  Космічна  наука  і технологія.—1998.—4, № 5/6.—С. 95—98.
15.  Томчук П. М. Напівпровідниковій характер властивостей острівцевих металічних плівок // Тезиси доповідей Між­народної школи-конференції з актуальних питань фізики напівпровідників (м. Дрогобич., 23—ЗО червня 1999 p.). — Дрогобич: ДДПУ, 1999.—С 60.
16.  Baranskii P. I. Babich V. М., Baran N. P., et al. Investigation of formation conditions of thermal donors-I and -II in oxygen-containing n-type Si within the temperature range 400 to 800 °С // Phys. Status Solidi (a).—1983.—78.—P. 733—739.
17.  Bulavenko S. Yu., Melnik P. V., Nakhodkin M. G. STM-images of the atoms in the corner holes on the Si (111)7x7 surface with bismuth-covered tips // Surface Sci.—2000.—469.—P. 127— 132.
18.  Fedorovich R. D., Naumovets A. G., Tomchuk P. M. Electron and light emission from island metal films and generation of hot electrons in nanoparticles // Phys. Repts.—2000.—328, N 2-3. P. 73—179.
19.  Melfi L. Т., Outlaw R. A. Henser J. E., Brock F. J. Molecular shield: An orbiting low-density materials laboratory // J. Vac. Sci. and Technol.—1976.—13, N 3.—P. 698—701.
20.  Nezaki Т., Yatsurug Y., Akiyama N. Concentration and Be­havior of Carbon in Semiconductor Silicon // J. Electrochem. Soc—1970.—117, N 12.—P. 1566—1568.
21.  Pagnia H., Sotnic N. Bistable switching in Electroformed Metal-Insulator-Metal Devices // Phys. Status Solidi (a) — 1988.—108, N 1.—P. 11—65.
22.  Paton B. E., Asnis E. A., Zabolotin S. P., et al. New capabilities of growing semiconductor materials by the method of electron beam crucibleless zone melting under microgravity // Космічна наука і технологія.—2000.—6, N 4.—P. 140—141.

23.  Song L. W., Benson B. W., Watkins G. D. Bistable interstitial-substitutinal carbon pair in silicon // Phys. Rev. B.—Solid State.—1990.—42, N 9.—P. 5765—5783.